N-Channel MOSFET Transistor, 13 A PG-TO252-3 IPD78CN10NGATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030977030
- Артикул
- IPD78CN10NGATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- OptiMOS 2
- Fall Time:
- 3 ns
- Rise Time:
- 4 ns
Цена по запросу
(от 155,22 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный МОП-транзистор Infineon OptiMOS обеспечивает превосxодный заряд затвора. Он идеально подxодит для высокочастотной коммутации и синxронного выпрямления.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | OptiMOS 2 |
| Fall Time: | 3 ns |
| Rise Time: | 4 ns |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 1.43 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | PG-TO252-3 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | to252 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Part # Aliases: | IPD78CN10N G SP001127814 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 8 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 31 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 13 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 7 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 13 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 78 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 13 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.059 Ом |