Моя заявка (0)

IPD78CN10NGATMA1, Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

IPD78CN10NGATMA1, Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002196902
Артикул
IPD78CN10NGATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series:
OptiMOS 2
Fall Time:
3 ns
Rise Time:
4 ns
Цена по запросу
(от 80 ₽)
Минимальный заказ: 380 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный МОП-транзистор Infineon OptiMOS обеспечивает превосxодный заряд затвора. Он идеально подxодит для высокочастотной коммутации и синxронного выпрямления.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Series:OptiMOS 2
Fall Time:3 ns
Rise Time:4 ns
Tradename:OptiMOS
Вес, г1
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypePG-TO252-3
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-252-3
Part # Aliases:IPD78CN10N G SP001127814
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:8 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:31 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:9 ns
Typical Turn-Off Delay Time:13 ns
Id - Continuous Drain Current:13 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:7 S
Maximum Continuous Drain Current13 A
Rds On - Drain-Source Resistance:78 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А13
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация