IPD75N04S4-06, MOSFETs N-Ch 40V 75A DPAK-2 OptiMOS-T2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006280165
- Артикул
- IPD75N04S4-06
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- -
- Brand:
- Infineon Technologies
- Вес, г
- 0.33
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 113,16 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 20 В до 40 В Infineon Technologies Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 20 В до 40 В соответствуют стандарту AEC-Q101 для применения в автомобилестроении и доступны в широком диапазоне типов корпусов, включая D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) и SSO8 (TDSON-8). Эти МОП-транзисторы предназначены для широкого спектра применений, включая управление электродвигателями EPS, 3-фазными двигателями и двигателями с Н-образным мостом, управление вентиляторами ОВКВ и электрическими насосами в сочетании с ШИМ-управлением.
Технические параметры
| Type | - |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Вес, г | 0.33 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q100 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IPD75N4S46XT SP000711472 IPD75N04S406ATMA1 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 32 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Power Dissipation (Pd) | - |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 58 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | - |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Continuous Drain Current (Id) | - |
| Id - Continuous Drain Current: | 75 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.9 mOhms |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | - |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | - |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 75 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 58 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |