IPD70R1K4P7SAUMA1, MOSFETs CONSUMER
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006207953
- Артикул
- IPD70R1K4P7SAUMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- PG-TO252-3
- RoHS
- Details
- Brand
- Infineon Technologies
- Width
- 6.22 mm
Цена по запросу
(от 75,22 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon CoolMOS - это революционная теxнология для высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанная в соответствии с принципом super junction (SJ) и впервые разработанная компанией Infineon Technologies.
Технические параметры
| Case | PG-TO252-3 |
| RoHS | Details |
| Brand | Infineon Technologies |
| Width | 6.22 mm |
| Height | 2.3 mm |
| Length | 6.5 mm |
| Series | CoolMOS P7 |
| Mounting | SMD |
| Fall Time | 61 ns |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 4.9 ns |
| Tradename | CoolMOS |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.34 |
| Длина | 6.5 mm |
| Серия | CoolMOS P7 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Infineon |
| Package Type | TO-252 |
| Polarisation | unipolar |
| Высота | 2.3 mm |
| Ширина | 6.22 mm |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Drain current | 2.5A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Kind of channel | enhancement |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 4.7 nC |
| Power dissipation | 22.7W |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±16V |
| On-state resistance | 1.4Ω |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Drain-source voltage | 700V |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 61 ns |
| Pd - Power Dissipation | 22.7 W |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 16 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 12 ns |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 63 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 700 V |
| Id - Continuous Drain Current | 4 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -40 C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Qg - заряд затвора | 4.7 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.4 O |
| Время нарастания | 4.9 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 4 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.15 Ohms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 700 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 22.7 W |
| Другие названия товара № | IPD70R1K4P7S SP001491632 |
| Id - непрерывный ток утечки | 4 A |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.15 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 700 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Типичное время задержки выключения | 63 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 22.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 2.5 V |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.15 Ohms |