P-Channel MOSFET, 73 A, 40 V PG-TO252-3-313 IPD70P04P409ATMA2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030973790
- Артикул
- IPD70P04P409ATMA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 31 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 12 ns
Цена по запросу
(от 440,61 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой транзистор Infineon OptiMOS-P2 отличается наименьшими потерями мощности при переключении и проводимости при высочайшей тепловой эффективности.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 31 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 12 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | P |
| Package Type | PG-TO252-3-313 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | to252 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | SMD |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Part # Aliases: | IPD70P04P4-09 SP002325768 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 54 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 75 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 19 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 24 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 73 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 73 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6.4 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 73 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | +5/-16В |