IPD70N12S311ATMA1, 120V 70A 11.1mOhm@70A,10V 125W 4V@83uA N Channel 4355pF@25V 65nC@10V -55°C~+175°C@(Tj) TO-252-3 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070105231
- Артикул
- IPD70N12S311ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- OptiMOS-T
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.8
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 201,57 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Этот МОП-транзистор Infineon OptiMOS подxодит для применения в автомобиляx и прошел 100%-ные лавинные испытания.
Технические параметры
| Series | OptiMOS-T |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.8 |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation (Pd) | 125W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 65nC@10V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 4.355nF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 120 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 70A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0111 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 70 A |