OptiMOS™-T N-Channel MOSFET, 70 A, 120 V, 3-Pin DPAK IPD70N12S311ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014553019
- Артикул
- IPD70N12S311ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- OptiMOS-T
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 440 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Этот МОП-транзистор Infineon OptiMOS подxодит для применения в автомобиляx и прошел 100%-ные лавинные испытания.
Технические параметры
| Series | OptiMOS-T |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 125W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 65nC@10V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 4.355nF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 120 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 70A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0111 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 70 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@83uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 120 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 70 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 11.1mΩ@70A, 10V |