IPD70N10S3L-12, TO-252-3 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025235180
- Артикул
- IPD70N10S3L-12
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 7 ns
- Rise Time:
- 6 ns
- Вес, г
- 4
Цена по запросу
(от 275,72 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N-канальный, 100 В, 70 А, TO-252-3; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 70 А; Напряжение источника стока Vds: 100 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,0096 Ом; Испытательное напряжение Rds(on) Vgs:10 В; Пороговое напряжение Vgs:1,7V;
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 7 ns |
| Rise Time: | 6 ns |
| Вес, г | 4 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-252 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| RoHS Compliant | Yes |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SP000261250 IPD7N1S3L12XT IPD70N10S3L12ATMA1 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 59 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 125 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 35 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 70 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 11.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.7 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |