IPD70N03S4L-04, MOSFETs N-Ch 30V 70A DPAK-2 OptiMOS-T2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062727120
- Артикул
- IPD70N03S4L-04
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- OptiMOSв(ў
- FET Type
- N-Channel
- Packaging
- Tape & Reel(TR)
Цена по запросу
(от 188 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Ch 30V 70A DPAK-2 OptiMOS-T2
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOSв(ў |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Vgs (Max) | В±16V |
| Fall Time: | 5 ns |
| Rise Time: | 5 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.33 |
| Длина | 6.5 mm |
| Серия | OptiMOS-T2 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Package Type | PG-TDSON-8 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Высота | 2.3 mm |
| Ширина | 6.22 mm |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IPD70N03S4L-04 SP000274986 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 48 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 30ВµA |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 5 ns |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 70A, 10V |
| Pd - Power Dissipation: | 68 W |
| Power Dissipation (Max) | 68W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +16 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 27 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Id - Continuous Drain Current: | 70 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Qg - заряд затвора | 48 nC |
| Время нарастания | 5 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 70 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.6 mOhms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3300pF @ 25V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 70A(Tc) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 68 W |
| Другие названия товара № | IPD70N03S4L04ATMA1 IPD7N3S4L4XT SP000274986 |
| Id - непрерывный ток утечки | 70 A |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.6 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 27 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |