Моя заявка (0)

IPD65R660CFDAATMA1, Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

IPD65R660CFDAATMA1, Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001050788
Артикул
IPD65R660CFDAATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Type
N
Package Type
TO-252
Цена по запросу
(от 353 ₽)
Минимальный заказ: 54 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Infineon CoolMOS - это революционная теxнология для высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанная в соответствии с принципом суперпереключения (SJ) и впервые разработанная компанией Infineon Technologies.

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г1
Channel TypeN
Package TypeTO-252
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation62.5Вт
СтруктураN-Channel
Особенностиавтомобильные приложения
КвалификацияAEC-Q101
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage650 V
Drain Source On State Resistance0.594Ом
Maximum Continuous Drain Current6 A
Линейка ПродукцииCoolMOS CFDA
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока6А
Рассеиваемая Мощность62.5Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds650В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.594Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация