Моя заявка (0)
IPD65R650CEAUMA1, MOSFETs CONSUMER

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062314456
Артикул
IPD65R650CEAUMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
3.96
Длина
6.5 mm
Серия
CoolMOS CE
Channel Type
N Channel
Цена по запросу
(от 150,62 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор CONSUMER

Технические параметры

Вес, г3.96
Длина6.5 mm
СерияCoolMOS CE
Channel TypeN Channel
Высота2.3 mm
Ширина6.22 mm
Power Dissipation86Вт
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада11 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокPG-TO-252-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора23 nC
Время нарастания8 ns
Drain Source On State Resistance0.54Ом
Линейка ПродукцииCoolMOS CE
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока10.1А
Рассеиваемая Мощность86Вт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs3В
Pd - рассеивание мощности86 W
Другие названия товара №IPD65R650CE SP001396908
Id - непрерывный ток утечки10.1 A
Коммерческое обозначениеCoolMOS
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds650В
Размер фабричной упаковки2500
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Vgs - напряжение затвор-исток10 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток650 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
Минимальная рабочая температура40 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения64 ns
Типичное время задержки при включении10 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.5 V
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 3-168 часов
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.54Ом

Техническая документация