IPD65R400CE, 650V 15.1A 400mOhm@10V,3.2A 118W 3.5V@320uA N Channel TO-252-3 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017632076
- Артикул
- IPD65R400CE
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- 1PCSNChannel
- Вес, г
- 0.52
- Корпус
- TO-252
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 99,74 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Вес, г | 0.52 |
| Корпус | TO-252 |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 118W |
| Особенности | высоковольтный |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 39nC@10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 710pF@100V |
| Continuous Drain Current (Id) | 15.1A |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3.5V@320uA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 400mΩ@3.2A, 10V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.5V@320uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 15.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 118 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 400mΩ@3.2A, 10V |