CoolMOS™ CE N-Channel MOSFET, 7.2 A, 650 V, 3-Pin DPAK IPD65R1K0CEAUMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014553519
- Артикул
- IPD65R1K0CEAUMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- CoolMOS CE
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Длина
- 6.5 mm
Цена по запросу
(от 181,09 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon CoolMOS - это революционная теxнология для высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанная в соответствии с принципом super junction (SJ) и впервые разработанная компанией Infineon Technologies.
Технические параметры
| Series | CoolMOS CE |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 6.5 mm |
| Серия | CoolMOS CE |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-252 |
| Высота | 2.3 mm |
| Ширина | 6.22 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 13.6 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Qg - заряд затвора | 15.3 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 1 O |
| Время нарастания | 5.2 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 7.2 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 68 W |
| Другие названия товара № | IPD65R1K0CE SP001421368 |
| Id - непрерывный ток утечки | 7.2 A |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Чувствительный к влажности | Yes |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.4 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 41 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6.6 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |