Моя заявка (0)

IPD650P06NMATMA1, 60V 22A 83W 65mOhm@22A,10V P Channel TO-252-3-313 MOSFETs

IPD650P06NMATMA1, 60V 22A 83W 65mOhm@22A,10V P Channel TO-252-3-313 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070114921
Артикул
IPD650P06NMATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
0.61
Серия
IPD06P003
Channel Type
P Channel
Упаковка
Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 162,38 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор TRENCH 40<-<100V

Технические параметры

Вес, г0.61
СерияIPD06P003
Channel TypeP Channel
УпаковкаReel, Cut Tape
Power Dissipation83Вт
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада12 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTO-252-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 P-Channel
Qg - заряд затвора39 nC
Время нарастания14 ns
Drain Source On State Resistance0.052Ом
Линейка ПродукцииOptiMOS
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока22А
Рассеиваемая Мощность83Вт
Полярность транзистораP-Channel
Пороговое Напряжение Vgs3В
Pd - рассеивание мощности83 W
Другие названия товара №IPD650P06NM SP004987256
Id - непрерывный ток утечки22 A
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Размер фабричной упаковки2500
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток65 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения33 ns
Типичное время задержки при включении12 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.1 V
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.052Ом
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.21 S

Техническая документация