IPD60R650CEAUMA1, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 9.9 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8387161463
- Артикул
- IPD60R650CEAUMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- null
- Вес, г
- 0.34
- Package Type
- PG-TO 252
- Корпус
- TO-252
Цена по запросу
(от 163 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon CoolMOS CE - это революционная теxнология для высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, впервые разработанная в соответствии с принципом super junction (SJ).
Технические параметры
| Type | null |
| Вес, г | 0.34 |
| Package Type | PG-TO 252 |
| Корпус | TO-252 |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -40℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 82W |
| Особенности | высоковольтный |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 20.5nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 440pF@100V |
| Continuous Drain Current (Id) | 9.9A |
| Maximum Continuous Drain Current | 9.9 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.5V@200uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 650mΩ@2.4A, 10V |