IPD60R650CEAUMA1, Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002222663
- Артикул
- IPD60R650CEAUMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- null
- Вес, г
- 1
- Package Type
- PG-TO 252
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 93 ₽)
Минимальный заказ: 925 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon CoolMOS CE - это революционная теxнология для высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, впервые разработанная в соответствии с принципом super junction (SJ).
Технические параметры
| Type | null |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | PG-TO 252 |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -40℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 82W |
| Особенности | высоковольтный |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 20.5nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 440pF@100V |
| Continuous Drain Current (Id) | 9.9A |
| Maximum Continuous Drain Current | 9.9 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |