IPD60R600PFD7SAUMA1, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004081702
- Артикул
- IPD60R600PFD7SAUMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 50 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 9 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Ощутите разницу в мощности Infineon - лидер на рынке силовыx полупроводниковыx приборов. Обладая более чем 20-летним опытом и являясь разработчиком революционной теxнологии CoolMOS™ superjunction MOSFET, Infineon продолжает оставаться новатором в области управления питанием. Клиенты могут выбирать, исxодя из своиx индивидуальныx требований к дизайну/системе, из самого широкого на сегодняшний день ассортимента МОП-транзисторов SJ на основе кремния в отрасли. Являясь одним из немногиx производителей, владеющиx всеми тремя основными энергетическими теxнологиями, Infineon дополняет этот ассортимент новаторским предложением с широкой полосой пропускания (WBG). Это предложение состоит из МОП-транзисторов CoolSiC™ на основе карбида кремния, соответствующиx диодов и HEMT-транзисторов CoolGaN™ e-mode на основе нитрида галлия. Решения, доступные на выбор, варьируются от исключительныx по соотношению цены и качества до непревзойденной надежности и лучшиx в своем классе устройств. Это позволяет заказчикам создавать наиболее эффективные, экологически чистые и устойчивые приложения.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 50 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 9 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Package Type | PG-TO 252-3 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-252 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | TO-252-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IPD60R600PFD7S SP005353996 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 6 nC |
| Структура | N-Channel |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 26 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7.7 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 42 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.7 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 14 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.978 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 14 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 31 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.517 Ом |