IPD60R600P7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; Idm: 16А; 30Вт; PG-TO252-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062366209
- Артикул
- IPD60R600P7SAUMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Qg
- 9 нКл
- Type
- 1PCSNChannel
- Series
- CoolMOSв(ў P7
- FET Type
- N-Channel
Цена по запросу
(от 51 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Infineon 600V CoolMOS™ P7 с суперпереxодом (SJ) является преемником МОП-транзисторов серии 600V CoolMOS™ P6.
Технические параметры
| Qg | 9 нКл |
| Type | 1PCSNChannel |
| Series | CoolMOSв(ў P7 |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.39 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 80ВµA |
| Полярность | N-Channel |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Тип монтажа | SMD/SMT |
| Power Dissipation (Pd) | 30W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 1.7A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 30W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 9nC@10V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 363pF@400V |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 600 mO |
| Maximum Continuous Drain Current | 6 A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 363pF @ 400V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 6A(Tc) |
| Диапазон рабочих температур | -40°C~150°C |