IPD60R600P7S, TO-252-3 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017632083
- Артикул
- IPD60R600P7S
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Qg
- 9 нКл
- Type
- 1PCSNChannel
- Series
- CoolMOSв(ў P7
- FET Type
- N-Channel
Цена по запросу
(от 67,95 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
TO-252-3 МОП-транзистора ROHS
Технические параметры
| Qg | 9 нКл |
| Type | 1PCSNChannel |
| Series | CoolMOSв(ў P7 |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.46 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Корпус | TO-252 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 80ВµA |
| Структура | MOSFET |
| Полярность | N-Channel |
| Operating Temperature | -40℃~+150℃@(Tj) |
| Тип монтажа | SMD/SMT |
| Power Dissipation (Pd) | 30W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 1.7A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 30W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 9nC@10V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 363pF@400V |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 600 mO |
| Maximum Continuous Drain Current | 6 A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 363pF @ 400V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 6A(Tc) |
| Диапазон рабочих температур | -40°C~150°C |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@80uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 600mΩ@1.7A, 10V |