Моя заявка (0)

IPD60R600P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; Idm: 16А; 30Вт; PG-TO252-3

IPD60R600P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; Idm: 16А; 30Вт; PG-TO252-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070122862
Артикул
IPD60R600P7ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
RoHS
Details
Brand
Infineon Technologies
Series
CoolMOS P7
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 160 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор LOW POWER_NEW

Технические параметры

RoHSDetails
BrandInfineon Technologies
SeriesCoolMOS P7
Pin Count3
TradenameCoolMOS
Вес, г0.68
СерияCoolMOS P7
Channel TypeN
ManufacturerInfineon
Package TypeDPAK(TO-252)
Mounting TypeSurface Mount
Product CategoryMOSFET
УпаковкаReel, Cut Tape
ТехнологияSi
Factory Pack Quantity2500
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада19 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTO-252-3
Maximum Drain Source Voltage600 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Qg - заряд затвора9 nC
Maximum Drain Source Resistance600 mO
Время нарастания6 ns
Maximum Continuous Drain Current6 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности30 W
Другие названия товара №IPD60R600P7 SP001606046
Id - непрерывный ток утечки6 A
Коммерческое обозначениеCoolMOS
Размер фабричной упаковки2500
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток490 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения37 ns
Типичное время задержки при включении7 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V

Техническая документация