IPD60R3K4CEAUMA1, 650V 2.6A 3.4Ohm@500mA,10V 29W N Channel TO-252-3 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062331215
- Артикул
- IPD60R3K4CEAUMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 0.36
Цена по запросу
(от 45 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 600 В 2,6 А (Tc) 29 Вт (Tc) для поверxностного монтажа PG-TO252-3
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.36 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPAK(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 40µA |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4Ohm @ 500mA, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 29W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 93 pF @ 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A(Tc) |