Моя заявка (0)
MOSFET Transistor, 1.7 A PG-TO 252 IPD60R3K3C6ATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8036913776
Артикул
IPD60R3K3C6ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series:
CoolMOS C6
Fall Time:
60 ns
Rise Time:
10 ns
Цена по запросу
(от 153,55 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon CoolMOS C6 - это революционная теxнология для высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанная в соответствии с принципом super junction (SJ) и впервые примененная.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Series:CoolMOS C6
Fall Time:60 ns
Rise Time:10 ns
Tradename:CoolMOS
Вес, г1
Technology:Si
Package TypePG-TO 252
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Product Type:MOSFET
REACH - SVHC:Details
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-252-3
Part # Aliases:IPD60R3K3C6 SP001117718
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:4.6 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:18.1 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:8 ns
Typical Turn-Off Delay Time:40 ns
Id - Continuous Drain Current:1.7 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Continuous Drain Current1.7 A
Rds On - Drain-Source Resistance:3.3 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1.7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт18.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация