Моя заявка (0)

IPD Type N-Channel MOSFET, 24 A, 650 V N TO-252 IPD60R360PFD7SAUMA1

IPD Type N-Channel MOSFET, 24 A, 650 V N TO-252 IPD60R360PFD7SAUMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030973788
Артикул
IPD60R360PFD7SAUMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
1
Channel Type
N Channel
Package Type
PG-TO252-3
Корпус
to252
Цена по запросу
(от 127,37 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Infineon 600V CoolMOS PFD7 super junction дополняет линейку CoolMOS 7 для потребительскиx приложений.

Технические параметры

Вес, г1
Channel TypeN Channel
Package TypePG-TO252-3
Корпусto252
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation43Вт
СтруктураMOSFET
Особенностивысоковольтный
Maximum Drain Source Voltage650 V
Drain Source On State Resistance0.303Ом
Maximum Continuous Drain Current24 A
Линейка ПродукцииCoolMOS PFD7 SJ
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока10А
Рассеиваемая Мощность43Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 3-168 часов
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.303Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А24
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация