Моя заявка (0)

IPD60R360PFD7SAUMA1, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

IPD60R360PFD7SAUMA1, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004105519
Артикул
IPD60R360PFD7SAUMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
0.15
Channel Type
N Channel
Package Type
PG-TO252-3
Корпус
TO-252
Цена по запросу
(от 257 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Infineon 600V CoolMOS PFD7 super junction дополняет линейку CoolMOS 7 для потребительскиx приложений.

Технические параметры

Вес, г0.15
Channel TypeN Channel
Package TypePG-TO252-3
КорпусTO-252
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation43Вт
СтруктураN-Channel
Особенностивысоковольтный
Maximum Drain Source Voltage650 V
Drain Source On State Resistance0.303Ом
Maximum Continuous Drain Current24 A
Линейка ПродукцииCoolMOS PFD7 SJ
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока10А
Рассеиваемая Мощность43Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 3-168 часов
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.303Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А10
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.303 Ом

Техническая документация