N-Channel MOSFET, 9 A, 600 V, 3-PIn DPAK InfIneon IPD60R360P7SAUMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070196889
- Артикул
- IPD60R360P7SAUMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 13 nC
- V(DS)
- 600 V
- P(tot)
- 41 W
- Package
- DPAK
Цена по запросу
(от 128,64 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор CONSUMER
Технические параметры
| Q(g) | 13 nC |
| V(DS) | 600 V |
| P(tot) | 41 W |
| Package | DPAK |
| R(thJC) | 3.04 K/W |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | NO |
| Technology | CoolMOS P7 |
| Вес, г | 0.5 |
| Серия | CoolMOS P7 |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 360 mOhm |
| Fast bodydiode | YES |
| I(D)at Tc=25°C | 9 A |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Power Dissipation | 41Вт |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 10 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Qg - заряд затвора | 13 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 360 mO |
| Время нарастания | 7 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.3Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 9 A |
| Линейка Продукции | CoolMOS P7 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 9А |
| Рассеиваемая Мощность | 41Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.5В |
| Pd - рассеивание мощности | 41 W |
| Другие названия товара № | IPD60R360P7S SP001658166 |
| Id - непрерывный ток утечки | 9 A |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Чувствительный к влажности | Yes |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 300 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 42 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.3Ом |