IPD60R360P7ATMA1, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000011197
- Артикул
- IPD60R360P7ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- 600V CoolMOS P7
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1.4
- Channel Type
- N Channel
Цена по запросу
(от 287 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Этот МОП-транзистор Infineon 600V Cool MOS P7 super junction продолжает обеспечивать баланс между необxодимостью обеспечения высокой эффективности и простотой использования в процессе проектирования.
Технические параметры
| Series | 600V CoolMOS P7 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.4 |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Корпус | TO-252 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 41Вт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.36 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.305Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 9 A |
| Линейка Продукции | CoolMOS P7 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 9А |
| Рассеиваемая Мощность | 41Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@140uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.305Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 41 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 360mΩ@2.7A, 10V |