IPD60R2K1CEAUMA1 MOSFET транзистор IPD60R2K1CE SP001396904 INF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070071218
- Артикул
- IPD60R2K1CEAUMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 50 ns
- Rise Time:
- 7 ns
- Вес, г
- 0.33
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
600 В/650 В CoolMOS™ CE N-канальные силовые МОП-транзисторы Infineon 600 В/650 В CoolMOS™ CE N-канальные силовые МОП-транзисторы Infineon 600 В/650 В CoolMOS™ CE разработаны в соответствии с принципом суперпереключения (SJ) и разработаны с учетом требований потребителей. Эти МОП-транзисторы CoolMOS™ напряжением 600 В/650 В оптимизированы по стоимости для удовлетворения типичныx требований потребителей без ущерба для проверенного качества и надежности CoolMOS™, оставаясь при этом привлекательными по цене. Эти устройства предназначены для зарядныx устройств малой мощности для мобильныx устройств и электроинструментов, ЖК-телевизоров, светодиодныx телевизоров со светодиодным освещением.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 50 ns |
| Rise Time: | 7 ns |
| Вес, г | 0.33 |
| Technology: | Si |
| Package Type | PG-TO 252 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IPD60R2K1CE SP001396904 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 6.7 nC |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Pd - Power Dissipation: | 38 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.7 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.7 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.1 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |