CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 12 A, 650 V, 3-Pin DPAK IPD60R280P7ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014564510
- Артикул
- IPD60R280P7ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- CoolMOS
- Military
- No
- Packaging
- Tape and Reel
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 371,87 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Конструкция MOSFET-транзисторов Infineon, также известныx как MOSFET-транзисторы, расшифровывается как "Металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы’.
Технические параметры
| Series | CoolMOS |
| Military | No |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-252 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Package | DPAK |
| Power Dissipation | 53Вт |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.28 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.214Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 12 A |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 53000 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 4 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 4@10V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | 20 |
| Линейка Продукции | CoolMOS P7 |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 600 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 4 |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 12 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 761@10V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 280@10V |
| Непрерывный Ток Стока | 12А |
| Рассеиваемая Мощность | 53Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.214Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |