CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 9 A, 650 V, 3-Pin DPAK IPD60R280CFD7ATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014564509
- Артикул
- IPD60R280CFD7ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- CoolMOS
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Серия:
- coolmos cfd7
Цена по запросу
(от 323,37 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Конструкция MOSFET-транзисторов Infineon, также известныx как MOSFET-транзисторы, расшифровывается как "Металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы’.
Технические параметры
| Series | CoolMOS |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Серия: | coolmos cfd7 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-252 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 51Вт |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Технология: | si |
| Вид монтажа: | smd/smt |
| Время спада: | 9 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта: | mosfet |
| Конфигурация: | single |
| Подкатегория: | mosfets |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Производитель: | infineon |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Торговая марка: | infineon technologies |
| Упаковка / блок: | to-252-3 |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Канальный режим: | enhancement |
| Тип транзистора: | 1 n-channel |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.28 Ω |
| Qg - заряд затвора: | 18 nc |
| Drain Source On State Resistance | 0.237Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 9 A |
| Время нарастания: | 14 ns |
| Линейка Продукции | CoolMOS CFD7 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Категория продукта: | моп-транзистор |
| Количество каналов: | 1 channel |
| Непрерывный Ток Стока | 9А |
| Рассеиваемая Мощность | 51Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Полярность транзистора: | n-channel |
| Pd - рассеивание мощности: | 51 w |
| Другие названия товара №: | ipd60r280cfd7 sp001634124 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Id - непрерывный ток утечки: | 9 a |
| Коммерческое обозначение: | coolmos |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Размер фабричной упаковки: | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | -20 v, +20 v |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 237 mohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 600 v |
| Минимальная рабочая температура: | -55 c |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальная рабочая температура: | +150 c |
| Типичное время задержки выключения: | 53 ns |
| Типичное время задержки при включении: | 17 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 3.5 v |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.237Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 51 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |