Моя заявка (0)

CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 9 A, 650 V, 3-Pin DPAK IPD60R280CFD7ATMA1

CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 9 A, 650 V, 3-Pin DPAK IPD60R280CFD7ATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014564509
Артикул
IPD60R280CFD7ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
CoolMOS
Pin Count
3
Вес, г
1
Серия:
coolmos cfd7
Цена по запросу
(от 323,37 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Конструкция MOSFET-транзисторов Infineon, также известныx как MOSFET-транзисторы, расшифровывается как "Металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы’.

Технические параметры

SeriesCoolMOS
Pin Count3
Вес, г1
Серия:coolmos cfd7
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-252
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation51Вт
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSilicon
Технология:si
Вид монтажа:smd/smt
Время спада:9 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продукта:mosfet
Конфигурация:single
Подкатегория:mosfets
Number of Elements per Chip1
Производитель:infineon
Maximum Drain Source Voltage650 V
Торговая марка:infineon technologies
Упаковка / блок:to-252-3
Maximum Gate Threshold Voltage4.5V
Канальный режим:enhancement
Тип транзистора:1 n-channel
Maximum Drain Source Resistance0.28 Ω
Qg - заряд затвора:18 nc
Drain Source On State Resistance0.237Ом
Maximum Continuous Drain Current9 A
Время нарастания:14 ns
Линейка ПродукцииCoolMOS CFD7
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Категория продукта:моп-транзистор
Количество каналов:1 channel
Непрерывный Ток Стока9А
Рассеиваемая Мощность51Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Полярность транзистора:n-channel
Pd - рассеивание мощности:51 w
Другие названия товара №:ipd60r280cfd7 sp001634124
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Id - непрерывный ток утечки:9 a
Коммерческое обозначение:coolmos
Напряжение Истока-стока Vds600В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Размер фабричной упаковки:2500
Vgs - напряжение затвор-исток:-20 v, +20 v
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:237 mohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток:600 v
Минимальная рабочая температура:-55 c
Максимальная Рабочая Температура150 C
Максимальная рабочая температура:+150 c
Типичное время задержки выключения:53 ns
Типичное время задержки при включении:17 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :3.5 v
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.237Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А9
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт51
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация