Моя заявка (0)

IPD Type P-Channel MOSFET, 42 A, 650 V N TO-252 IPD60R210PFD7SAUMA1

IPD Type P-Channel MOSFET, 42 A, 650 V N TO-252 IPD60R210PFD7SAUMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030973786
Артикул
IPD60R210PFD7SAUMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
7 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
16 ns
Цена по запросу
(от 213,42 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Infineon 600V CoolMOS PFD7 super junction дополняет линейку CoolMOS 7 для потребительскиx приложений.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:7 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:16 ns
Вес, г1
Technology:Si
Package TypePG-TO252
Subcategory:MOSFETs
Корпусto252
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-252-3-11
Part # Aliases:IPD60R210PFD7S SP003235792
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:23 nC
СтруктураMOSFET
Moisture Sensitive:Yes
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:64 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:20 ns
Maximum Drain Source Voltage650 V
Typical Turn-Off Delay Time:57 ns
Id - Continuous Drain Current:16 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Maximum Continuous Drain Current42 A
Rds On - Drain-Source Resistance:386 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А42
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт64
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация