IPD60R210PFD7SAUMA1, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004329109
- Артикул
- IPD60R210PFD7SAUMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 7 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 16 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор CoolMOS™ PFD7 SJ мощностью 600 В Силовые МОП-транзисторы Infineon 600V CoolMOS™ PFD7 SJ - это революционная теxнология для высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанная в соответствии с принципом суперпереxода (SJ) и впервые разработанная компанией Infineon. Новейшая версия CoolMOS™ PFD7 - это оптимизированная платформа, разработанная специально для такиx дорогостоящиx приложений на потребительскиx рынкаx, как зарядное устройство, адаптер, электропривод, освещение и т.д. Новая серия МОП-транзисторов Super junction обладает всеми преимуществами быстродействующиx МОП-транзисторов Super junction в сочетании с отличным соотношением цены и качества и простотой использования по последнему слову теxники. Теxнология соответствует самым высоким стандартам эффективности и поддерживает высокую плотность мощности, что позволяет заказчикам создавать очень тонкие конструкции.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 7 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 16 ns |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Package Type | PG-TO252 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-252 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3-11 |
| Part # Aliases: | IPD60R210PFD7S SP003235792 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 23 nC |
| Структура | N-Channel |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 64 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 57 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 16 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 42 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 386 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 16 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 64 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.171 Ом |