IPD60R210CFD7ATMA1, 600V 12A 210mOhm@4.9A,10V 64W N Channel DPAK(TO-252) MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070078440
- Артикул
- IPD60R210CFD7ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 0.49
- Channel Type
- N Channel
- Упаковка
- Reel, Cut Tape
- Power Dissipation
- 64Вт
Цена по запросу
(от 268,82 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор LOW POWER_NEW
Технические параметры
| Вес, г | 0.49 |
| Channel Type | N Channel |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Power Dissipation | 64Вт |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 75 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 23 nC |
| Время нарастания | 16.5 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.171Ом |
| Линейка Продукции | CoolMOS CFD7 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 12А |
| Рассеиваемая Мощность | 64Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Pd - рассеивание мощности | 64 W |
| Другие названия товара № | IPD60R210CFD7 SP001715662 |
| Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 210 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 54 ns |
| Типичное время задержки при включении | 22 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.171Ом |