IPD60R1K4C6ATMA1,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 3.2 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8877833661
- Артикул
- IPD60R1K4C6ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 2
- Длина
- 6.5 mm
- Серия
- CoolMOS C6
- Высота
- 2.3 mm
Цена по запросу
(от 173 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор LOW POWER_LEGACY
Технические параметры
| Вес, г | 2 |
| Длина | 6.5 mm |
| Серия | CoolMOS C6 |
| Высота | 2.3 mm |
| Корпус | TO-252 |
| Ширина | 6.22 mm |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 20 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 9.4 nC |
| Время нарастания | 7 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 28.4 W |
| Другие названия товара № | IPD60R1K4C6 SP001292870 |
| Id - непрерывный ток утечки | 3.2 A |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.26 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 40 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 28.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.26 Ом |