IPD60R1K0PFD7SAUMA1, OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 4.7 A, 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030998845
- Артикул
- IPD60R1K0PFD7SAUMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N Channel
- Упаковка
- Reel, Cut Tape
- Power Dissipation
- 26Вт
Цена по запросу
(от 161,79 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Infineon 600V cool MOS PFD7 super junction MOSFET дополняет линейку cool MOS 7 для потребительскиx приложений.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N Channel |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Power Dissipation | 26Вт |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 50 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | DPAK-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 6 nC |
| Время нарастания | 9 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.84Ом |
| Линейка Продукции | CoolMOS PFD7 SJ |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 4.7А |
| Рассеиваемая Мощность | 26Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Pd - рассеивание мощности | 26 W |
| Другие названия товара № | IPD60R1K0PFD7S SP005353999 |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.7 A |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Чувствительный к влажности | Yes |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.978 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 42 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7.7 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.84Ом |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |