Моя заявка (0)

IPD60R1K0CEAUMA1, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

IPD60R1K0CEAUMA1, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8690919165
Артикул
IPD60R1K0CEAUMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Width
6.22mm
Series
CoolMOS CE
Pin Count
3
Вес, г
0.426
Цена по запросу
(от 113 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор CONSUMER

Технические параметры

Width6.22mm
SeriesCoolMOS CE
Pin Count3
Вес, г0.426
Длина6.5 mm
СерияCoolMOS CE
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeDPAK(TO-252)
Высота2.3 mm
КорпусTO-252
Ширина6.22 mm
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Forward Diode Voltage0.9V
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада13 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation61 W
Typical Gate Charge @ Vgs13 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокPG-TO-252-3
Maximum Drain Source Voltage650 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-40 °C
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage2.5V
Qg - заряд затвора13 nC
Maximum Drain Source Resistance1 Ω
Время нарастания8 ns
Maximum Continuous Drain Current6.8 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности61 W
Другие названия товара №IPD60R1K0CE SP001396896
Id - непрерывный ток утечки6.8 A
Коммерческое обозначениеCoolMOS
Размер фабричной упаковки2500
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Чувствительный к влажностиYes
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Пороговое напряжение на затворе3.5V@130uA
Минимальная рабочая температура40 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения60 ns
Типичное время задержки при включении10 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6.8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт61
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1Ω@1.5A, 10V

Техническая документация