IPD60R180P7ATMA1, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8356876155
- Артикул
- IPD60R180P7ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- 600V CoolMOS P7
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.426
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 330 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Этот МОП-транзистор Infineon 600V Cool MOS P7 super junction продолжает обеспечивать баланс между необxодимостью обеспечения высокой эффективности и простотой использования в процессе проектирования.
Технические параметры
| Series | 600V CoolMOS P7 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.426 |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Корпус | TO-252 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.18 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 18 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@280uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 72 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 180mΩ@5.6A, 10V |