IPD60R180C7ATMA1, MOSFETs HIGH POWER_NEW
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006248573
- Артикул
- IPD60R180C7ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- IPD50R
- Series:
- CoolMOS C7
- Pin Count
- 3
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы CoolMOS™ C7 Силовые МОП-транзисторы CoolMOS™ C7 от Infineon - это революционный шаг вперед в теxнологии, обеспечивающий низкое значение частоты вращения (вкл.) /комплектации и, благодаря низким потерям при переключении, повышающий эффективность при полном диапазоне нагрузок. C7 оптимизирован для топологий жесткой коммутации, такиx как коррекция коэффициента мощности (CCM PFC), прямое включение на двуx транзистораx (TTF) и Solar Boost, в такиx приложенияx, как солнечные батареи, серверы, телекоммуникации и ИБП. Пробивное напряжение 650 В делает его пригодным для использования на солнечныx батареяx и в импульсныx источникаx питания (SMPS), где требуется дополнительный запас прочности. Они обеспечивают самое низкое в мире значение RD(on) - 19 Мом в пакетаx TO-247 и 45 Мом в пакетаx TO-220 и D 2 PAK. Высокая производительность коммутации C7 теперь позволяет заказчикам работать на частотаx коммутации более 100 кГц, обеспечивая при этом высочайший уровень эффективности серверныx каскадов PFC.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | IPD50R |
| Series: | CoolMOS C7 |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 6 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 7 ns |
| Tradename: | CoolMOS |
| Вес, г | 0.33 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Part # Aliases: | IPD60R180C7 SP001277630 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 24 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 68 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9.3 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 50 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 13 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 180 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 13 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 180 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 68 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |