IPD60N10S4L12ATMA1, 100V 60A 94W 12mOhm@60A,10V 2.1V@46uA N Channel 3170pF@25V 49nC@10V -55°C~+175°C@(Tj) TO-252-3-313 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017669895
- Артикул
- IPD60N10S4L12ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- OptiMOS
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 2
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 124 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Конструкция MOSFET-транзисторов Infineon, также известныx как MOSFET-транзисторы, расшифровывается как "Металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы’.
Технические параметры
| Series | OptiMOS |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 2 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | TO-252 |
| Корпус | TO-252 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 94Вт |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Особенности | - |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.012 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.0098Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 60 A |
| Линейка Продукции | OptiMOS T2 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 60А |
| Рассеиваемая Мощность | 94Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.6В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.9V@350uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0098Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 94 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 12мОм |