N-Channel MOSFET, 60 A, 100 V PG-TO252-3-313 InfIneon IPD60N10S412ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063764194
- Артикул
- IPD60N10S412ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 13 ns
- Rise Time:
- 3 ns
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 140 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 75 В до 100 В Infineon Technologies Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 75 В до 100 В соответствуют стандарту AEC-Q101 для применения в автомобилестроении. Эти модули доступны в широком ассортименте упаковок, включая D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) и SSO8 (TDSON-8). Эти МОП-транзисторы Infineon идеально подxодят для систем впрыска топлива, беспроводной зарядки в автомобиле и подсистемы питания C02 напряжением 48 В, снижающей выбросы вредныx веществ, известной как Board Net.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 13 ns |
| Rise Time: | 3 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | PG-TO252-3-313 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | SMD |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IPD60N10S4-12 SP001102936 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 34 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Pd - Power Dissipation: | 94 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 9 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 60 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 60 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 12.2 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.7 V |