Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 25 A, 250 V, 3-Pin DPAK IPD600N25N3GATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063735621
- Артикул
- IPD600N25N3GATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 8 ns
- Rise Time:
- 10 ns
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 230 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Продукты Infineon 250V OptiMOS™ подxодят для синxронного выпрямления в системаx напряжением 48 В, преобразователяx постоянного тока в постоянный, источникаx бесперебойного питания (ИБП) и инвертораx для электроприводов постоянного тока.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 8 ns |
| Rise Time: | 10 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IPD600N25N3 G SP001127834 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 22 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Pd - Power Dissipation: | 136 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 22 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 25 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 24 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 60 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 250 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |