Моя заявка (0)

IPD Type N-Channel MOSFET, 4.3 A, 500 V N, 3-Pin TO-252 IPD50R950CEAUMA1

IPD Type N-Channel MOSFET, 4.3 A, 500 V N, 3-Pin TO-252 IPD50R950CEAUMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030973785
Артикул
IPD50R950CEAUMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
RoHS
Details
Brand
Infineon Technologies
Width
6.22 mm
Height
2.3 mm
Цена по запросу
(от 182,44 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon 500V CoolMOS CE - это платформа, оптимизированная по соотношению цены и качества, позволяющая ориентироваться на чувствительные к затратам приложения на потребительском рынке и рынке освещения, соxраняя при этом высочайшие стандарты эффективности.

Технические параметры

RoHSDetails
BrandInfineon Technologies
Width6.22 mm
Height2.3 mm
Length6.5 mm
SeriesCoolMOS CE
PackagingReel
TradenameCoolMOS
TechnologySi
Вес, г1
Длина6.5 mm
СерияCoolMOS CE
Unit Weight0.139332 oz
ManufacturerInfineon
Package TypePG-TO 252
Высота2.3 mm
Ширина6.22 mm
Mounting TypeSMD
Package / CaseTO-252-3
Part # AliasesIPD50R950CE
Product CategoryMOSFET
СтруктураMOSFET
ТехнологияSi
Factory Pack Quantity2500
Вид монтажаSMD/SMT
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTO-252-3
Maximum Drain Source Voltage550 V
Maximum Continuous Drain Current6.6 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage500 V
Другие названия товара №IPD50R950CE SP001396802
Коммерческое обозначениеCoolMOS
Размер фабричной упаковки2500
Vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В550
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация