IPD50R3K0CEAUMA1, Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002222606
- Артикул
- IPD50R3K0CEAUMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Series
- CoolMOSв„ў CE ->
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Цена по запросу
(от 37 ₽)
Минимальный заказ: 830 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 500 В 1,7 А (Tc) 26 Вт (Tc) для поверxностного монтажа PG-TO252-3
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Series | CoolMOSв„ў CE -> |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.43 |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Package Type | PG-TO 252 |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 30ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Base Product Number | IPD50R3 -> |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 400mA, 13V |
| Особенности | высоковольтный |
| Power Dissipation (Max) | 26W (Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.6 A |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 84pF @ 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 1.7A (Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 26 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |