Моя заявка (0)

IPD50R399CPATMA1, Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

IPD50R399CPATMA1, Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002180428
Артикул
IPD50R399CPATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
1
Длина
6.5 mm
Серия
CoolMOS CE
Высота
2.3 mm
Цена по запросу
(от 140 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-Ch 550V 9A DPAK-2

Технические параметры

Вес, г1
Длина6.5 mm
СерияCoolMOS CE
Высота2.3 mm
Ширина6.22 mm
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада14 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTO-252-3
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора17 nC
Время нарастания14 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности83 W
Другие названия товара №IPD50R399CP SP001117700
Id - непрерывный ток утечки9 A
Коммерческое обозначениеCoolMOS
Размер фабричной упаковки2500
Vgs - напряжение затвор-исток30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток399 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения80 ns
Типичное время задержки при включении35 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В