Моя заявка (0)

N-Channel MOSFET, 14.1 A, 550 V, 3-PIn DPAK InfIneon IPD50R380CEAUMA1

N-Channel MOSFET, 14.1 A, 550 V, 3-PIn DPAK InfIneon IPD50R380CEAUMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063955932
Артикул
IPD50R380CEAUMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Q(g)
24.8 nC
RoHS
Details
Brand
Infineon Technologies
V(DS)
500 V
Цена по запросу
(от 85 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор CONSUMER

Технические параметры

Q(g)24.8 nC
RoHSDetails
BrandInfineon Technologies
V(DS)500 V
Width6.22mm
Height2.3 mm
Length6.5 mm
P(tot)98 W
SeriesCoolMOS CE
PackageDPAK
R(thJC)1.27 K/W
MountingSMD
PackagingReel
Pin Count3
TradenameCoolMOS
AutomotiveNO
TechnologySi
Вес, г1
Длина6.5 mm
СерияIPD50R380
Logic levelNO
RoHS StatusRoHS-conform
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ManufacturerInfineon
Package TypeDPAK(TO-252)
Высота2.3 mm
Ширина6.22 mm
ConfigurationN-CH
Mounting TypeSurface Mount
RDS(on)at 10V380 mOhm
Fast bodydiodeNO
Package / CaseTO-252-3
Part # AliasesIPD50R380CE
I(D)at Tc=25°C14.1 A
Product CategoryMOSFET
ТехнологияSi
Factory Pack Quantity2500
Forward Diode Voltage0.85V
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаMOSFET
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation98 W
Typical Gate Charge @ Vgs24.8 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTO-252-3
Maximum Drain Source Voltage550 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage2.5V
Maximum Drain Source Resistance380 mΩ
Maximum Continuous Drain Current14.1 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage500 V
Другие названия товара №IPD50R380CE SP001396790
Коммерческое обозначениеCoolMOS
Размер фабричной упаковки2500
Vds - напряжение пробоя сток-исток500 V

Техническая документация