Моя заявка (0)

CoolMOS™ CE N-Channel MOSFET, 14.1 A, 550 V, 3-Pin DPAK IPD50R380CEAUMA1

CoolMOS™ CE N-Channel MOSFET, 14.1 A, 550 V, 3-Pin DPAK IPD50R380CEAUMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8009710030
Артикул
IPD50R380CEAUMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Q(g)
24.8 nC
RoHS
Details
Brand
Infineon Technologies
V(DS)
500 V
Цена по запросу
(от 290 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon предлагает большой и всесторонний ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает семейства CoolMOS, OptiMOS и StrongIRFET.

Технические параметры

Q(g)24.8 nC
RoHSDetails
BrandInfineon Technologies
V(DS)500 V
Width6.22mm
Height2.3 mm
Length6.5 mm
P(tot)98 W
SeriesCoolMOS CE
PackageDPAK
R(thJC)1.27 K/W
MountingSMD
PackagingReel
Pin Count3
TradenameCoolMOS
AutomotiveNO
TechnologySi
Вес, г2
Длина6.5 mm
СерияIPD50R380
Logic levelNO
RoHS StatusRoHS-conform
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ManufacturerInfineon
Package TypeDPAK(TO-252)
Высота2.3 mm
Ширина6.22 mm
ConfigurationN-CH
Mounting TypeSurface Mount
RDS(on)at 10V380 mOhm
Fast bodydiodeNO
Package / CaseTO-252-3
Part # AliasesIPD50R380CE
I(D)at Tc=25°C14.1 A
Product CategoryMOSFET
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Factory Pack Quantity2500
Forward Diode Voltage0.85V
Вид монтажаSMD/SMT
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation98 W
Typical Gate Charge @ Vgs24.8 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTO-252-3
Maximum Drain Source Voltage550 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage2.5V
Maximum Drain Source Resistance380 mΩ
Maximum Continuous Drain Current14.1 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage500 V
Другие названия товара №IPD50R380CE SP001396790
Коммерческое обозначениеCoolMOS
Размер фабричной упаковки2500
Vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В550
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А14.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация