IPD50R2K0CEAUMA1, MOSFETs CONSUMER
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006225223
- Артикул
- IPD50R2K0CEAUMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- CoolMOS™ CE
- Military
- No
- Packaging
- Tape and Reel
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 140 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 550V 3.6A 3-контактный (2+Tab) DPAK T/R
Технические параметры
| Series | CoolMOS™ CE |
| Military | No |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 5 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 33Вт |
| Process Technology | CoolMOS CE |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 2 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 1.8Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.2 A |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 33000 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 6 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 6@10V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | 20 |
| Линейка Продукции | CoolMOS CE |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 500 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 3.5 |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 3.6 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 124@100V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 2000@13V |
| Непрерывный Ток Стока | 3.6А |
| Рассеиваемая Мощность | 33Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 13В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 500В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.8Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 33 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |