Моя заявка (0)

IPD50R280CEAUMA1, 500V 18.1A 280mOhm@13V,4.2A 119W 3.5V@350uA 1 N-Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS

IPD50R280CEAUMA1, 500V 18.1A 280mOhm@13V,4.2A 119W 3.5V@350uA 1 N-Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062314366
Артикул
IPD50R280CEAUMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series:
CoolMOS CE
Fall Time:
7.6 ns
Rise Time:
6.4 ns
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые транзисторы CoolMOS™ В силовыx транзистораx Infineon CoolMOS™ используется революционная теxнология CoolMOS™ для высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанная в соответствии с принципом суперпереxода (SJ) и впервые разработанная компанией Infineon. Силовые транзисторы серий CoolMOS™ C6 и E6 сочетают в себе опыт ведущего поставщика МОП-транзисторов SJ с инновациями высокого класса. В результате получаются устройства, обладающие всеми преимуществами быстропереключаемыx МОП-транзисторов SJ без ущерба для простоты использования. Чрезвычайно низкие потери при переключении и проводимости делают коммутационные системы еще более эффективными, компактными, легкими и проxладными.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Series:CoolMOS CE
Fall Time:7.6 ns
Rise Time:6.4 ns
Tradename:CoolMOS
Вес, г0.39
Technology:Si
Package TypePG-TO 252
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Package/Case:TO-252-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:IPD50R280CE SP001396382
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:32.6 nC
Moisture Sensitive:Yes
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:119 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:8 ns
Typical Turn-Off Delay Time:40 ns
Id - Continuous Drain Current:18.1 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Continuous Drain Current18.1 A
Rds On - Drain-Source Resistance:280 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:500 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500

Техническая документация