IPD Type N-Channel MOSFET, 18.1 A N TO-252 IPD50R280CEAUMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030977025
- Артикул
- IPD50R280CEAUMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- CoolMOS CE
- Fall Time:
- 7.6 ns
- Rise Time:
- 6.4 ns
Цена по запросу
(от 352,47 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon CoolMOS CE - это революционная теxнология для высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, впервые разработанная в соответствии с принципом super junction (SJ).
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | CoolMOS CE |
| Fall Time: | 7.6 ns |
| Rise Time: | 6.4 ns |
| Tradename: | CoolMOS |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Package Type | PG-TO 252 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TO-252-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IPD50R280CE SP001396382 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 32.6 nC |
| Структура | MOSFET |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 119 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 40 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 18.1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 18.1 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 280 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 119 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |