Моя заявка (0)
IPD Type N-Channel MOSFET, 18.1 A N TO-252 IPD50R280CEAUMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030977025
Артикул
IPD50R280CEAUMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series:
CoolMOS CE
Fall Time:
7.6 ns
Rise Time:
6.4 ns
Цена по запросу
(от 352,47 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon CoolMOS CE - это революционная теxнология для высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, впервые разработанная в соответствии с принципом super junction (SJ).

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Series:CoolMOS CE
Fall Time:7.6 ns
Rise Time:6.4 ns
Tradename:CoolMOS
Вес, г1
Technology:Si
Package TypePG-TO 252
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Package/Case:TO-252-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:IPD50R280CE SP001396382
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:32.6 nC
СтруктураMOSFET
Moisture Sensitive:Yes
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:119 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:8 ns
Typical Turn-Off Delay Time:40 ns
Id - Continuous Drain Current:18.1 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Continuous Drain Current18.1 A
Rds On - Drain-Source Resistance:280 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:500 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А18.1
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт119
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация