Моя заявка (0)
IPD50P04P413ATMA2, MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006254781
Артикул
IPD50P04P413ATMA2
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
3
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P Channel
Package Type
DPAK(TO-252)
Цена по запросу
(от 131,45 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon -40 В, P-Ch, максимум 12,6 Мом, автомобильный МОП-транзистор, DPAK, OptiMOS™-P2. P-канал - Режим повышения нормального уровня

Технические параметры

Pin Count3
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP Channel
Package TypeDPAK(TO-252)
Вес, кг2.49
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation58Вт
СтруктураMOSFET
Особенности-
КвалификацияAEC-Q101
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage40 V
Maximum Gate Threshold Voltage2.2V
Maximum Drain Source Resistance12.6 mO
Drain Source On State Resistance0.0092Ом
Maximum Continuous Drain Current50 A
Линейка ПродукцииOptiMOS-P2
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока50А
Рассеиваемая Мощность58Вт
Полярность ТранзистораP Канал
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds40В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0092Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А413
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация