OptiMOS P P-Channel MOSFET, 50 A, 40 V, 3-Pin DPAK IPD50P04P413ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8612619109
- Артикул
- IPD50P04P413ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 6.22mm
- Series
- OptiMOS P
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 10
Цена по запросу
(от 220,57 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
P-канальные МОП-транзисторы Infineon OptiMOS™ разработаны таким образом, чтобы обеспечить расширенные возможности и высокое качество исполнения.
Технические параметры
| Width | 6.22mm |
| Series | OptiMOS P |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 10 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 58 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 12.6 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 50 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 58 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | +5/-16В |